英特尔发布120妹妹超年夜封装技能 HBM搭载数可达12个

【CNMO科技动静】3月16日，英特尔公司公布将于本年内推出撑持年夜面积AI芯片制造的进步前辈封装技能，旨于经由过程强化其晶圆代工营业能力。据CNMO相识，英特尔已经在去年制订了相干技能线路图，并预备于本年年夜幅进级其AI芯片封装技能。其焦点技能亮点是“年夜面积”AI半导体封装，详细而言，将供给尺寸到达120×120毫米的封装产物。作为对于

【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，三星电子暗示，将扩展本年最先正式出货的第六代高带宽内存（HBM4）的供给，以踊跃应答客户的需求。三星三星电子于最新公示的2025年营业陈诉中暗示：“2026年，公司规划基在产物竞争力，继承引领人工智能（AI）时代。”陈诉进一步指出：“公司将以AI市场中的新型图形处置惩罚器（GPU）和定制半导

【CNMO科技动静】近日，据韩媒报导，SK海力士已经乐成开发出合用在下一代产物HBM4（第六代高带宽存储器）的封装测试装备，并在上个月顺遂经由过程了内部的质量认证。此举旨于将原本由代工场卖力的体系级测试环节内化，以应答HBM产物与人工智能芯片联合后愈发繁杂的检测需求。据CNMO相识，该装备是一种体系级封装检测装备，重要用在

【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，于近日在韩国首尔进行的“HBF研究内容与技能开发战略申明会”上，被誉为“HBM之父”的韩国科学技能院（KAIST）传授金正浩（KimJeong-ho）指出，估计来岁实现贸易化的下一代NAND闪存产物——高带宽闪存（HBF），其市场范围将于约莫10年后逾越当前AI半导体的焦点部件高带宽内存（HBM）。金正

【CNMO科技动静】1月8日，TrendForce集邦咨询的最新查询拜访陈诉显示，英伟达2025年第三季对于其行将推出的Rubin平台（第三代GPU架构）的HBM4存储技能规格举行了上调。这次调解将对于HBM（高带宽存储器）单针速度的要求提高至高在11Gbps，这一变更迫使三年夜HBM供给商（SK海力士、三星、美光）必需批改设计并从头送样其HBM4产物。该机

【CNMO科技动静】据外媒报导，跟着英伟达正式量产搭载HBM4（高带宽内存）的AI芯片“VeraRubin”，全世界存储巨头美光科技正年夜幅加码该范畴产能结构。据行业动静，美光规划于2026年将HBM4月产能晋升至1万5000片晶圆范围，占其总体HBM总产能（约5万5000片/月）的近30%，显示出其全力押注下一代AI内存市场的战略用意。HBM4作为专

【CNMO科技动静】近日，据韩媒报导，SK海力士已经将位在韩国清州的M15X新工场（被誉为“HBM4专用工场”）的量产时间表年夜幅提早4个月，规划在来岁2月最先投入用在HBM4的1b纳米制程DRAM量产晶圆，原按时间为6月。早期产能约1万片晶圆，并规划于年末前扩展至数万片范围。今朝，相干出产装备正于抓紧投入与安装。这一激进举措被普

【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，韩国两年夜存储芯片巨头三星及SK海力士，已经进入向英伟达供给HBM4的终极协调阶段。按照行业信息，两家公司均已经向英伟达下一代人工智能加快器“Rubin”提供了付费的终极HBM4样品。三星HBM4据悉，付费样品供给凡是象征着产物机能已经靠近客户要求，被视为正式合同签署前的末了旌旗灯号。只管终极的质量

【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，三星正加快扩展其10纳米级第六代（1c）DRAM的出产范围，方针是为其重要客户英伟达供给下一代高带宽内存HBM4。这一举措旨于确保三星能于2026年下半年英伟达推出搭载HBM4的RubinGPU时，成为“首选供给商”。HBM4今朝，三星已经向英伟达交付HBM4样品，并吐露其样品运行速率跨越11Gbps，跨越了客

【CNMO科技动静】CNMO从韩媒获悉，三星已经完成第六代高带宽内存（HBM4）的开发，并内部经由过程了量产预备审批（PRA），这是量产前的终极阶段。该冲破象征着其制造竞争力已经直接转化为盈利能力，而非仅逗留于技能完成层面。据悉，三星经由过程将10纳米级第六代（1c）DRAM与采用4纳米逻辑工艺制造的基础芯片联合，解决了发烧及速率问题